SCIENTIFIC RESEARCH

等离子体增强化学气相沉积(ICPCVD)

发布时间:

2026-04-20

来源:

作者:


等离子体增强化学气相沉积(ICPCVD) 

设备功能:SiNSiO2 等薄膜材料生长

设备参数:适用于最大尺寸为200毫米的晶圆

设备图片:

是否可提供对外服务

设备联系人:李仕龙

联系方式:13261531690


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